电力半导体晶闸管模块 - 青岛海宜丰电力电子有限公司

产品9

产品9

电力半导体晶闸管模块

1、芯片采用沟槽氮化硅玻璃烧结工艺。

2、通态压降低，功耗小。

3、高温175℃下反向漏电流小。

4、浪涌电流能力强。

5、塑料灌封结构，安装方便，可靠性高。

6、热性能好。

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质量等级

1、企军标JP、JT：GJB33A-97

2、七专G：QZJ840611A

3、普军J：参考QZJ840611A执行。

可控硅模块额定值和特性参数

表1：可控硅模块额定值和特性参数

	I_T(AV)	V_DRM_/V_RRM	I_DRM、I_RRM	V_TM	T_jM	I_GT	V_GT	R_jc	产品外形图	备注
	A	V	mA	V	℃	mA	V	℃/W	产品外形图	备注
MTC MTA MTK MTX MFC	25	400～1800	≤2	≤1.4	125	≤150	≤2	0.78	图9-1	产品详细电特性、外形图以各产品的技术规格书为准。
	40	400～1800	≤2	≤1.4	125	≤150	≤2	0.55	图9-1
	55	400～1800	≤2	≤1.4	125	≤150	≤2	0.53	图9-1
	70	400～1800	≤2	≤1.4	125	≤150	≤2	0.41	图9-1
	90	400～1800	≤2	≤1.4	125	≤150	≤2	0.28	图9-1
	110	400～1800	≤2	≤1.4	125	≤150	≤2	0.25	图9-1
	130	400～1800	≤3	≤1.4	125	≤150	≤2	0.20	图9-2
	160	400～1800	≤3	≤1.4	125	≤150	≤2	0.17	图9-3
	180	400～1800	≤3	≤1.4	125	≤150	≤2	0.16	图9-3
	200	400～1800	≤4	≤1.4	125	≤150	≤2	0.14	图9-3
	250	400～1800	≤4	≤1.4	125	≤150	≤2	0.12	图9-3
	300	400～1800	≤5	≤1.4	125	≤150	≤2	0.10	图9-4
	500	400～1800	≤5	≤1.4	125	≤150	≤2	0.065	图9-5

电力半导体晶闸管模块电连接方式：

表2：M系列功率模块电联结形式表、可控硅模块电连接形式表

型号	MTC	MTA	MTK	MTX
电联结形式

表3：混合模块电联结型式表

型号

MFC（C）

MFC（A）

MFK

MFA

电联结

形式

本系列模块的电极与壳体绝缘电压均大于2500V。